TU Bergakademie Freiberg, Institut für NE-Metallurgie und Reinststoffe, Leipziger Str. 23, D-09596 Freiberg, Germany
*TU Bergakademie Freiberg, Institut für Experimentelle Physik, Silbermannstr. 1, D-09596 Freiberg, Germany

Incorporation of Carbon by VGF-Growth of GaAs

<100> oriented GaAs single crystals with carbon concentrations in the range of 10¹⁴ to 10¹⁶ cm^-3 were grown by the vertical Gradient-Freeze-Method (VGF) in sealed quartz glass ampoules. The stable isotope ¹³C was used as doping material. Because of the application of carbon isotopes it is possible to distinguish between the carbon contained in the starting material (¹²C) and the incorporation from the gaseous phase (¹³C). The carbon concentration on the arsenic sublattice site was investigated by FTIR spectroscopy from absorption of local modes.

<100> orientierte GaAs Einkristalle mit Kohlenstoffkonzentrationen im Bereich von 10¹⁴ bis 10¹⁶ cm^-3 wurden in geschlossenen Ampullen mit dem vertikalen Gradient Freeze Verfahren (VGF) gezüchtet. Als Dotierstoff wurde das stabile Isotop ¹³C verwendet. Durch den Einsatz von Kohlenstoffisotopen kann zwischen dem im Ausgangsmaterial (¹²C) enthaltenen und den über die Gasphase eingebauten Kohlenstoff (¹³C) unterschieden werden. Die C_As -Konzentration der gezüchteten Kristalle wurde mit Hilfe der FTIR-Spektroskopie aus der Lokalmodenabsorption bestimmt.

Keywords: VGF, local modes (LVM), carbon incorporation
 

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